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数字万用表的使用已很普及了,但在常见的电工技术方面的书中,半导体的测量方法多是使用指针万用表,很少介绍使用数字万用表的。数字万用表和指针万用表测量半导体的方法是不同的。
一、二 管
数字万用表二 管档开路电压约为2.8V,红表笔接正,黑表笔接负,测量时提供电流约为1mA,显示值为二 管正向压降近似值,单位是mV或V。硅二 管正向导通压降约为0.3~0.8V。锗二 管锗正向导通压降约为0.1~0.3V。并且功率大一些的二 管正向压降要小一些。如果测量值小于0.1V,说明二 管击穿,此时正反向都导通。如果正反向均开路说明二 管PN节开路。对于发光二 管,正向测量时二 管发光,管压降约1.7V左右。
二、三 管
三 管有两个PN节,发射节(be)和集电节(bc),按测量二 管的方法测量即可。在实际测量时,每两个管脚间都要测正反向压降,共要测6次,其中有4次显示开路,只有两次显示压降值,否则三 管是坏的或是特殊三 管(如带阻三 管、达林顿三 管等,可通过型号与普通三 管区分开来)。在两次有数值的测量中,如果黑表笔或红表笔接同一 ,则该 是基 ,测量值较小的是集电节,较大的是发射节,因为已判断出基 ,对应可以判断出集电 和发射 。同时可以判断:如果黑表笔接同一 ,则三 管是PNP型,如果红表笔接同一 ,则三 管是NPN型;压降为0.6V左右的是硅管,压降为0.2V左右的是锗管。
三、可控硅
可控硅阳 与阴 及控制 是开路的,据此可以确定阳 管脚和判断可控硅是否击穿。可控硅控制 和阴 间也是PN节,但是大功率可控硅控制 和阴 间有一个保护电阻,测量时显示值为电阻上的压降。
四、光耦
光耦的一侧是发光二 管,测量时压降约1V左右,另外一侧是三 管,有的只引出c、e,测量正反向均截止,如果三个脚都引出,测量特性同上面三 管(多为NPN管)。当用一个万用表使二 管正向导通,此时用另外一块万用表测三 管c对e导通压降约为0.15V;断开接二 管的万用表,三 管c对e截止,说明该光耦是好的。
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